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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 20 µm, 1 - 50 Ohm cm, in units of 25 wafers (cassette package)

Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD30380250B1354SNN1
Orientation: (100)
Wafer thickness: 380 µm
Diameter: 3 inch
Quality: Prime
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
Resistivity: 1 - 50 Ohm cm
Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 20 µm, 1 - 50 Ohm cm, in units of 25 wafers (cassette package)

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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