Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Arsen), TTV < 10 µm, 0.001 - 0.01 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD30380250A1011SNN1
Quality: Prime
Resistivity: 0,001 - 0,01 Ohm cm
Dopand: Arsenic
Wafer thickness: 380 µm
Diameter: 3 inch
Orientation: (100)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Arsen), TTV < 10 µm, 0.001 - 0.01 Ohm cm

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