Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 2 inch, thickness = 280 ± 10 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 0.01 - 0.02 Ohm cm, Flats: 1, [InvP]

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD20280100B1121SNN2
Diameter: 2 inch
Resistivity: 0,01 - 0,02 Ohm cm
Wafer thickness: 280 µm
Wafer thickness tolerance: +/- 10 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 2 inch, thickness = 280 ± 10 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 0.01 - 0.02 Ohm cm, Flats: 1, [InvP]

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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