Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 2 inch, thickness = 279 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD20279250B1314SNN1
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness: 279 µm
Diameter: 2 inch
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 2 inch, thickness = 279 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 2 inch, thickness = 279 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

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