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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm, no Flat

Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD10625250B1324XNN1
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Resistivity: 1 - 20 Ohm cm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness: 625 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
Diameter: 1 inch
Prime CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm, no Flat

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers. One sales unit of 9 wafers is also available on stock.

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