Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 280 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.001 - 0.05 Ohm cm, no flat
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSD10280250B1051XNN1 |
| Resistivity: | 0,001 - 0,05 Ohm cm |
| Wafer thickness: | 280 µm |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Material: | CZ-Si |
| Diameter: | 1 inch |
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