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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 280 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.001 - 0.05 Ohm cm, no flat

Silicon Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD10280250B1051XNN1
Resistivity: 0,001 - 0,05 Ohm cm
Wafer thickness: 280 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
Diameter: 1 inch
Prime CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 280 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 280 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.001 - 0.05 Ohm cm, no flat

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers. One sales unit of 4 wafers is also available on stock.

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