Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 4000 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 2 flats (SEMI standard), units of 25 wafers, wafers separated by paper sheet, not particle specified

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA44000250B1314SNN1
Orientation: (100)
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Wafer thickness: 4000 µm
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 4000 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 4000 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 2 flats (SEMI standard), units of 25 wafers, wafers separated by paper sheet, not particle specified

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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