Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 800 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40800250B1314SNN1
Orientation: (100)
Wafer thickness: 800 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 800 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm

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