Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 600 ± 25 µm, (100), 2-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40600250P1314SNN1
Orientation: (100)
Wafer thickness: 600 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Dopand: Phosphor
Quality: Prime
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 600 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 600 ± 25 µm, (100), 2-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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