• In unserem Shop finden Sie momentan nur ein Teil unseres Sortiments.
    Unsere gesamte Produktpalette sowie weitere Informationen finden Sie auf unserer bisherigen Website.

Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 10 µm, (100) +/- 0.3°, 2-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 5 µm, Bow/Warp < 25 µm, 2 - 10 Ohm cm, Laser-marking SEMI M13, 2 mm height, code: 525Nabcd-XXX

Silicon Wafer

Staffelpreise:

Menge: Stückpreis:
ab 25 27,00 € *
ab 50 25,00 € *
ab 100 23,50 € *
ab 250 22,00 € *
ab 500 20,80 € *
ab 1000 20,00 € *

zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten

IN BÄLDE VERFÜGBAR 1: 1000 Stück
PRODUZIERBAR2: mehr auf Anfrage.


1 Summe aus Bestand und ggf. in Produktion befindlicher Ware.
Lieferzeit auf Anfrage.

2 Der Artikel kann auf Anfrage produziert werden. Bitte kontaktieren Sie uns.

Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40525253P2314SNN1
Quality: Prime
Wafer thickness: 525 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Dopand: Phosphor
Orientation: (100)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Resistivity: 2 - 10 Ohm cm
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 10 µm, (100)... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 10 µm, (100) +/- 0.3°, 2-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 5 µm, Bow/Warp < 25 µm, 2 - 10 Ohm cm, Laser-marking SEMI M13, 2 mm height, code: 525Nabcd-XXX

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

Weiterführende Links zu "Silicon Wafer"

Zuletzt angesehen