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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 2 µm, 1 - 10 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µm

Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40525252B1314SNN1
Orientation: (100)
Wafer thickness: 525 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 2 µm, 1 - 10 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µm

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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