Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.1 - 1 Ohm cm

Staffelpreise:

Menge: Stückpreis:
bis 4 39,50 € *
ab 5 28,70 € *
ab 10 23,10 € *
ab 25 17,50 € *
ab 50 16,60 € *
ab 100 15,00 € *
ab 200 14,20 € *

zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten

LAGERBESTAND: 22
PRODUZIERBAR2: mehr auf Anfrage.

2 Der Artikel kann auf Anfrage produziert werden. Bitte kontaktieren Sie uns.

Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40525250B1213SNN1
Quality: Prime
Resistivity: 0,1 - 1 Ohm cm
Wafer thickness: 525 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.1 - 1 Ohm cm

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 22 wafers is also available on stock.

Weiterführende Links zu "Silicon Wafer"

Zuletzt angesehen