Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, laser marking on frontside: P42XXX

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40525155B1314SNN2
Quality: Prime
Wafer thickness tolerance: +/- 15 µm
Wafer thickness: 525 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, laser marking on frontside: P42XXX

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