Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 0.01 - 0.02 Ohm cm, 2 SEMI Flats

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40500250B1121SNN1
Quality: Prime
Resistivity: 0,01 - 0,02 Ohm cm
Surface: 2-side polished (dsp)
Wafer thickness: 500 µm
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 0.01 - 0.02 Ohm cm, 2 SEMI Flats

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