Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 0.01 - 0.02 Ohm cm, Flats: 2

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40500150B1121SNN1
Wafer thickness: 500 µm
Resistivity: 0,01 - 0,02 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 15 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 15 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 0.01 - 0.02 Ohm cm, Flats: 2

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