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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 400 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, Bow < 40 µm, 8 - 12 Ohm cm, [2019 Pos. 8] Laser-Marking Class 100 CL 2019 SI2PXXXX

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40400250B8314SNN1
Resistivity: 8 - 12 Ohm cm
Wafer thickness: 400 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Beschreibung
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Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 400 ± 25 µm, (100),... mehr
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 400 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, Bow < 40 µm, 8 - 12 Ohm cm, [2019 Pos. 8] Laser-Marking Class 100 CL 2019 SI2PXXXX

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