Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 400 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, Bow < 40 µm, 8 - 12 Ohm cm, [2019 Pos. 8] Laser-Marking Class 100 CL 2019 SI2PXXXX
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSA40400250B8314SNN1 |
| Resistivity: | 8 - 12 Ohm cm |
| Wafer thickness: | 400 µm |
| Surface: | 2-side polished (dsp) |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
| Material: | CZ-Si |
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