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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 20 - 100 Ohm cm, Bow < 20 µm, Warp < 25 µm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40380155B2415SNN1
Resistivity: 20 - 100 Ohm cm
Wafer thickness: 380 µm
Wafer thickness tolerance: +/- 15 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Beschreibung
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Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100),... mehr
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 380 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 µm, 20 - 100 Ohm cm, Bow < 20 µm, Warp < 25 µm

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