Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 25 µm, (100), 2-side polished, n-type (Phosphor), TTV < 10 µm, 0.05 - 0.1 Ohm cm
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ab 5 | 33,00 € * |
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ab 50 | 17,50 € * |
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WSA40300250P5112SNN1 |
Dopand: | Phosphor |
Wafer thickness: | 300 µm |
Surface: | 2-side polished (dsp) |
Quality: | Prime |
Orientation: | (100) |
Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
Diameter: | 4 inch (100 mm) |
Material: | CZ-Si |
Resistivity: | 0,05 - 0,1 Ohm cm |
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