Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 25 µm, (100), 2-side polished, n-type (Phosphor), TTV < 10 µm, 0.1 - 1 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40300250P1213SNN1
Dopand: Phosphor
Resistivity: 0,1 - 1 Ohm cm
Wafer thickness: 300 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 25 µm, (100), 2-side polished, n-type (Phosphor), TTV < 10 µm, 0.1 - 1 Ohm cm

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 7 wafers is also available on stock.

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