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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 10 µm, (100) +/- 0.3°, 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, Bow/Warp < 30 µm, 0.01 - 0.02 Ohm cm, Laser-marking SEMI M13 code: 100-Pabcd-XXX

Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40300105B1121XNN1
Surface: 2-side polished (dsp)
Resistivity: 0,01 - 0,02 Ohm cm
Wafer thickness: 300 µm
Wafer thickness tolerance: +/- 10 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 10 µm, (100)... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 10 µm, (100) +/- 0.3°, 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, Bow/Warp < 30 µm, 0.01 - 0.02 Ohm cm, Laser-marking SEMI M13 code: 100-Pabcd-XXX

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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