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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 05 µm, (100) +/- 0.3°, 2-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 3 µm, Bow/Warp < 25 µm, 2 - 10 Ohm cm, Laser-marking SEMI M13, 1.8-2 mm height, code: 100-Nxxxx-236 (xxxx = consecutive number)

Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40300053P2314SNN1
Wafer thickness tolerance: +/- 5 µm
Wafer thickness: 300 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Dopand: Phosphor
Quality: Prime
Orientation: (100)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Resistivity: 2 - 10 Ohm cm
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 05 µm, (100)... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 05 µm, (100) +/- 0.3°, 2-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 3 µm, Bow/Warp < 25 µm, 2 - 10 Ohm cm, Laser-marking SEMI M13, 1.8-2 mm height, code: 100-Nxxxx-236 (xxxx = consecutive number)

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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