Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 200 ± 10 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40200105B1314SNN1
Quality: Prime
Wafer thickness tolerance: +/- 10 µm
Wafer thickness: 200 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 200 ± 10 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 200 ± 10 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µm

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