Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 100 ± 10 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.001 - 0.01 Ohm cm
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSA40100100B1011SNN1 |
| Surface: | 2-side polished (dsp) |
| Resistivity: | 0,001 - 0,01 Ohm cm |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 10 µm |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Dopand: | Boron |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
| Material: | CZ-Si |
| Wafer thickness: | 100 µm |
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