Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 360 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSA30360250B1050SNN1 |
| Resistivity: | 0,001 - 0,005 Ohm cm |
| Diameter: | 3 inch |
| Surface: | 2-side polished (dsp) |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Material: | CZ-Si |
| Wafer thickness: | 360 µm |
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