Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 200 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA30200250B1314SNN1
Diameter: 3 inch
Wafer thickness: 200 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 200 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 200 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

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