Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 280 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, no flat, units of 50 wafers stacked in cakeboxes

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA10280250B1314XNN1
Wafer thickness: 280 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Material: CZ-Si
Diameter: 1 inch
Prime CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 280 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 1 inch, thickness = 280 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, no flat, units of 50 wafers stacked in cakeboxes

Min. order quantity and sales unit = 50 wafers.

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