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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 24.5 +/- 0.3 mm diameter, thickness = 200 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, !! no flat !!, units of 50 wafers stacked in cakeboxes

Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA10200250B1314XNN1
Wafer thickness: 200 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Material: CZ-Si
Diameter: 1 inch
Prime CZ-Si wafer 24.5 +/- 0.3 mm diameter, thickness = 200 ± 25... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 24.5 +/- 0.3 mm diameter, thickness = 200 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, !! no flat !!, units of 50 wafers stacked in cakeboxes

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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