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Silicon Wafer

Dummy CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 50 µm, any crystal orientation (not defined), 1-side polished, n- or p-type (mixed), 0.001 - 100 Ohm cm, not particle specified, each 50 pcs in vacuum sealed cassette package

Silicon Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WS440650500B1015XNN1
Material: CZ-Si
Diameter: 4 inch (100 mm)
Surface: 1-side polished (ssp)
Dopand: Boron
Quality: Dummy
Wafer thickness: 650 µm
Wafer thickness tolerance: +/- 50 µm
Resistivity: 0,001 - 100 Ohm cm
Dummy CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 50 µm, any crystal orientation... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Dummy CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 50 µm, any crystal orientation (not defined), 1-side polished, n- or p-type (mixed), 0.001 - 100 Ohm cm, not particle specified, each 50 pcs in vacuum sealed cassette package

Min. order quantity and sales unit = 50 wafers.

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