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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 100 ± 5 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 0 - 0.01 Ohm cm, Flats: 1, [InvP]

Silicon Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSA40100055B0011SNN1
Wafer thickness: 100 µm
Wafer thickness tolerance: +/- 5 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Resistivity: 0 - 0,01 Ohm cm
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 100 ± 5 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 100 ± 5 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 0 - 0.01 Ohm cm, Flats: 1, [InvP]

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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