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Si + SiO2 Wafer

Dummy Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.001 - 0.01 Ohm cm, 280 nm SiO2, not particle-specified

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Si + SiO2 Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WWV40525250B1011S281
Coating thickness: 280
Material: Si + wet SiO2
Resistivity: 0,001 - 0,01 Ohm cm
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Dummy
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Beschreibung
Beschreibung
Dummy Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm,... mehr
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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Dummy Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 0.001 - 0.01 Ohm cm, 280 nm SiO2, not particle-specified

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