Si + SiO2 Wafer

Dummy Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Arsenic), 0.001 - 0.005 Ohm cm, 300 nm SiO2, not particle-specified

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WWV40525250A1050SNN1
Coating thickness: 300
Material: Si + wet SiO2
Resistivity: 0,001 - 0,005 Ohm cm
Dopand: Arsenic
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Dummy
Orientation: (100)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Dummy Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Arsenic), 0.001 - 0.005 Ohm cm, 300 nm SiO2, not particle-specified

Min. order quantity and sales unit = 24 wafers.

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