Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WWD6067525XP1314SXX1
Diameter:	6 inch (150 mm)
Coating thickness:	1000
Material:	Si + wet SiO2
Wafer thickness:	675 µm
Dopand:	Phosphor
Quality:	Prime
Orientation:	(100)
Resistivity:	1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness tolerance:	+/- 25 µm
Surface:	1-side polished (ssp)

Prime Si + wet SiO2 wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm,... mehr

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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + wet SiO2 wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm +/- 10 % thermally grown SiO2 on both sides, no second flat

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 9 wafers is also available on stock.