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Si + SiO2 Wafer

Prime Si + wet SiO2 wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm +/- 10 % thermally grown SiO2 on both sides, no second flat

Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WWD6067525XP1314SXX1
Diameter: 6 inch (150 mm)
Coating thickness: 1000
Material: Si + wet SiO2
Wafer thickness: 675 µm
Dopand: Phosphor
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Prime Si + wet SiO2 wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + wet SiO2 wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm +/- 10 % thermally grown SiO2 on both sides, no second flat

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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