Si + SiO2 Wafer

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 300 nm dry/wet/dry SiO2 (thermal grown on both sides)

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WWD60675250B1314S301
Coating thickness: 300
Material: Si + wet SiO2
Wafer thickness: 675 µm
Quality: Prime
Diameter: 6 inch (150 mm)
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 300 nm dry/wet/dry SiO2 (thermal grown on both sides)

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