Si + SiO2 Wafer

Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), 10 - 20 Ohm cm, 1000 nm SiO2 +/- 10 %, single flat 32.5 +/- 2.5 mm, no secondary flat

Si + SiO2 Wafer
20,00 € *

zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten

IN BÄLDE VERFÜGBAR 1: 300 Stück
PRODUZIERBAR2: mehr auf Anfrage.


1 Summe aus Bestand und ggf. in Produktion befindlicher Ware.
Lieferzeit auf Anfrage.

2 Der Artikel kann auf Anfrage produziert werden. Bitte kontaktieren Sie uns.

Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WWD40625250P1424XNN1
Coating thickness: 1000
Material: Si + wet SiO2
Resistivity: 10 - 20 Ohm cm
Dopand: Phosphor
Quality: Prime
Orientation: (100)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Wafer thickness: 625 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), 10 - 20 Ohm cm, 1000 nm SiO2 +/- 10 %, single flat 32.5 +/- 2.5 mm, no secondary flat

Min. order quantity and sales unit = 300 wafers.

Weiterführende Links zu "Si + SiO2 Wafer"

Zuletzt angesehen