Si + SiO2 Wafer
Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), 10 - 20 Ohm cm, 1000 nm SiO2 +/- 10 %, single flat 32.5 +/- 2.5 mm, no secondary flat
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WWD40625250P1424XNN1 |
| Coating thickness: | 1000 |
| Material: | Si + wet SiO2 |
| Resistivity: | 10 - 20 Ohm cm |
| Dopand: | Phosphor |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Wafer thickness: | 625 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
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