Si + SiO2 Wafer
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 10 - 20 Ohm cm, 1000 nm SiO2 +/- 10 %, single flat 32,5 +/- 2,5 mm, no second flat
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WWD40625250P1424SXX1 |
Coating thickness: | 1000 |
Material: | Si + wet SiO2 |
Resistivity: | 10 - 20 Ohm cm |
Dopand: | Phosphor |
Quality: | Prime |
Orientation: | (100) |
Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
Wafer thickness: | 625 µm |
Surface: | 1-side polished (ssp) |
Diameter: | 4 inch (100 mm) |
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