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Si + SiO2 Wafer

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 10 - 20 Ohm cm, 1000 nm SiO2 +/- 10 %, single flat 32,5 +/- 2,5 mm, no second flat

Si + SiO2 Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WWD40625250P1424SXX1
Coating thickness: 1000
Material: Si + wet SiO2
Resistivity: 10 - 20 Ohm cm
Dopand: Phosphor
Quality: Prime
Orientation: (100)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Wafer thickness: 625 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 10 - 20 Ohm cm, 1000 nm SiO2 +/- 10 %, single flat 32,5 +/- 2,5 mm, no second flat

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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