Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WWD40625250P1424SXX1
Coating thickness:	1000
Material:	Si + wet SiO2
Resistivity:	10 - 20 Ohm cm
Dopand:	Phosphor
Quality:	Prime
Orientation:	(100)
Wafer thickness tolerance:	+/- 25 µm
Wafer thickness:	625 µm
Surface:	1-side polished (ssp)
Diameter:	4 inch (100 mm)

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 µm,... mehr

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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 10 - 20 Ohm cm, 1000 nm SiO2 +/- 10 %, single flat 32,5 +/- 2,5 mm, no second flat

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 24 wafers is also available on stock.