Si + SiO2 Wafer
Prime FZ Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, TTV < 10 µm, intrinsic (undoped) 1000 - 100000 Ohm cm, 300 nm thermal SiO2 dry/wet/dry
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WWD40525250X1618S301 |
Wafer thickness: | 525 µm |
Coating thickness: | 300 |
Material: | Si + wet SiO2 |
Quality: | Prime |
Orientation: | (100) |
Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
Surface: | 1-side polished (ssp) |
Diameter: | 4 inch (100 mm) |
Resistivity: | 1000 - 100000 Ohm cm |
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