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Si + SiO2 Wafer

Prime FZ Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, TTV < 10 µm, intrinsic (undoped) 1000 - 100000 Ohm cm, 300 nm thermal SiO2 dry/wet/dry

Si + SiO2 Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WWD40525250X1618S301
Wafer thickness: 525 µm
Coating thickness: 300
Material: Si + wet SiO2
Quality: Prime
Orientation: (100)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Resistivity: 1000 - 100000 Ohm cm
Prime FZ Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime FZ Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, TTV < 10 µm, intrinsic (undoped) 1000 - 100000 Ohm cm, 300 nm thermal SiO2 dry/wet/dry

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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