Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WWD40525250X1618S301
Wafer thickness:	525 µm
Coating thickness:	300
Material:	Si + wet SiO2
Quality:	Prime
Orientation:	(100)
Wafer thickness tolerance:	+/- 25 µm
Surface:	1-side polished (ssp)
Diameter:	4 inch (100 mm)
Resistivity:	1000 - 100000 Ohm cm

Prime FZ Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm,... mehr

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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime FZ Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, TTV < 10 µm, intrinsic (undoped) 1000 - 100000 Ohm cm, 300 nm thermal SiO2 dry/wet/dry

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 14 wafers is also available on stock.