Si + SiO2 Wafer
Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 5000 nm SiO2
Staffelpreise:
| Menge: | Stückpreis: |
|---|---|
| bis 24 | 90,00 € * |
| ab 5 | 84,00 € * |
| ab 10 | 78,00 € * |
| ab 25 | 72,00 € * |
| ab 50 | 64,00 € * |
| ab 100 | 60,00 € * |
| ab 200 | 58,00 € * |
zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten
IN BÄLDE VERFÜGBAR 1: 95 Stück 2 Der Artikel kann auf Anfrage produziert werden. Bitte kontaktieren Sie uns.
PRODUZIERBAR2: mehr auf Anfrage.
1 Summe aus Bestand und ggf. in Produktion befindlicher Ware. Lieferzeit auf Anfrage.
Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WWD40525250B1314SXX8 |
| Coating thickness: | 5000 |
| Material: | Si + wet SiO2 |
| Wafer thickness: | 525 µm |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
Zuletzt angesehen