Si + SiO2 Wafer
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Arsenic), 0.001 - 0.005 Ohm cm, 300 nm SiO2
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WWD40525250A1050S301 |
| Coating thickness: | 300 |
| Material: | Si + wet SiO2 |
| Resistivity: | 0,001 - 0,005 Ohm cm |
| Dopand: | Arsenic |
| Wafer thickness: | 525 µm |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
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