Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WWD30380250B1314SXX1
Quality:	Prime
Coating thickness:	1000
Material:	Si + wet SiO2
Wafer thickness:	380 µm
Diameter:	3 inch
Orientation:	(100)
Resistivity:	1 - 10 Ohm cm
Dopand:	Boron
Wafer thickness tolerance:	+/- 25 µm
Surface:	1-side polished (ssp)

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm,... mehr

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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm SiO2, 1 SEMI flat

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