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Si + SiO2 Wafer

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 25 µm, (100), 1-side polished, TTV < 10 µm, undoped, 1000 - 100000 Ohm cm, 250 nm SiO2, 2 Flats

Si + SiO2 Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WWD20279250X1618S251
Wafer thickness: 279 µm
Resistivity: 1000 - 100000 Ohm cm
Material: Si + wet SiO2
Diameter: 2 inch
Quality: Prime
Orientation: (100)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Coating thickness: 250
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 25 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 25 µm, (100), 1-side polished, TTV < 10 µm, undoped, 1000 - 100000 Ohm cm, 250 nm SiO2, 2 Flats

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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