Si + SiO2 Wafer
Prime Si + wet SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm dry/wet/dry thermally grown SiO2
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WWD20279250B1314S501 |
Quality: | Prime |
Material: | Si + wet SiO2 |
Coating thickness: | 500 |
Wafer thickness: | 279 µm |
Diameter: | 2 inch |
Orientation: | (100) |
Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
Dopand: | Boron |
Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
Surface: | 1-side polished (ssp) |
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