Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WWD20279250B1314S501
Quality:	Prime
Material:	Si + wet SiO2
Coating thickness:	500
Wafer thickness:	279 µm
Diameter:	2 inch
Orientation:	(100)
Resistivity:	1 - 10 Ohm cm
Dopand:	Boron
Wafer thickness tolerance:	+/- 25 µm
Surface:	1-side polished (ssp)

Prime Si + wet SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 25 µm,... mehr

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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + wet SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm dry/wet/dry thermally grown SiO2

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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