Si + SiO2 Wafer

Prime Si + wet SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm dry/wet/dry thermally grown SiO2

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WWD20279250B1314S501
Quality: Prime
Material: Si + wet SiO2
Coating thickness: 500
Wafer thickness: 279 µm
Diameter: 2 inch
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + wet SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm dry/wet/dry thermally grown SiO2

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