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Si + SiO2 Wafer

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WWD20279200B1314S301
Coating thickness: 300
Material: Si + wet SiO2
Wafer thickness tolerance: +/- 20 µm
Wafer thickness: 279 µm
Diameter: 2 inch
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 20 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2

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