Si + SiO2 Wafer

Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 2-side polished, n-type (Phosphor), 1 - 10 Ohm cm, 5000 nm SiO2

Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WWA40525250P1314SXX1
Coating thickness: 5000
Material: Si + wet SiO2
Wafer thickness: 525 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Dopand: Phosphor
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Diameter: 4 inch (100 mm)
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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 2-side polished, n-type (Phosphor), 1 - 10 Ohm cm, 5000 nm SiO2

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