Si + SiO2 Wafer

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WWA40525150B1314SNN2
Surface: 2-side polished (dsp)
Coating thickness: 300
Material: Si + wet SiO2
Wafer thickness tolerance: +/- 15 µm
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2

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