Si + SiO2 Wafer

Prime Si + dry SiO2 wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 100 nm thermal SiO2 on both sides

Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WTD60675250B1314S101
Coating thickness: 100
Material: Si + dry SiO2
Wafer thickness: 675 µm
Quality: Prime
Diameter: 6 inch (150 mm)
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
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Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry SiO2 wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 100 nm thermal SiO2 on both sides

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 20 wafers is also available on stock.

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