Si + SiO2 Wafer
Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm SiO2
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WTD40525250P1314S101 |
| Quality: | Prime |
| Coating thickness: | 100 |
| Material: | Si + dry SiO2 |
| Wafer thickness: | 525 µm |
| Dopand: | Phosphor |
| Orientation: | (100) |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
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