Si + SiO2 Wafer
Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 285 nm SiO2 +/- 5 %, laser marking on polished side (MCPHD003-XXX, XXX = 001-999)
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WTD40525250B1050S281 |
| Coating thickness: | 280 |
| Material: | Si + dry SiO2 |
| Resistivity: | 0,001 - 0,005 Ohm cm |
| Wafer thickness: | 525 µm |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
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