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Si + SiO2 Wafer

Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 285 nm SiO2 +/- 5 %, laser marking on polished side (MCPHD002-XXX, XXX = 001-999)

Si + SiO2 Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WTD40525250B1050S281
Coating thickness: 280
Material: Si + dry SiO2
Resistivity: 0,001 - 0,005 Ohm cm
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm,... mehr

Produktinformationen "Si + SiO2 Wafer"

Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 285 nm SiO2 +/- 5 %, laser marking on polished side (MCPHD002-XXX, XXX = 001-999)

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 20 wafers is also available on stock.

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