Si + SiO2 Wafer
Dummy Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 290 nm SiO2, not particle-specified
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WTD40525205B1050S292 |
| Wafer thickness: | 525 µm |
| Coating thickness: | 290 |
| Material: | Si + dry SiO2 |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 20 µm |
| Resistivity: | 0,001 - 0,005 Ohm cm |
| Quality: | Dummy |
| Orientation: | (100) |
| Dopand: | Boron |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
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